【48812】台积电：2nm工艺将运用GAAFET技能估计2025年完成量产

  据台积电放出的技能发展图来看，台积电的N3工艺将会在本年下半年开端量产，而且这一代N3工艺将会持续发展至2025年，其中会扩产出N3E、N3P和N3X工艺，本年除了N3工艺外，N4P和N6

  而N2工艺则是定在了2025年完成量产，台积电将会在N2工艺上初次运用GAAFET技能，以替代沿用至今的FinFET技能，而据台积电表明，N2工艺比较N3工艺的作业速度将会快10%~15%，相同速度的情况下，N2工艺的功耗比较N3工艺将会下降25%~30%。

  制程项目的顺畅推动，宝山、高雄新晶圆厂的制作工程正有序进行。台中科学园区已开始确认了A14与A10生产线的布局，详细是否增设

  12 月 14 日音讯，台积电在近来举行的 IEEE 世界电子器件会议（IEDM）的小组研讨会上泄漏，其 1.4

  可以包容更多的晶体管在相同的芯片面积上，然后供给更高的集成度和处理才能。此外，较小的节点尺度还可以更好的下降电路的功耗，供给更高的能效。可以说，